- Tout pwodwi yo
- Discrete Semiconductor Products
-
LV GaN HEMT
18 Pwodwi yo te jwenn
Imaj | Pati # | Manifakti | Fich done | Deskripsyon | Disponibilite | Kantite | RoHS | Tan plon faktori | Estati Lifecycle | Estati RoHS |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
INN040W048A | Innoscience |
Bi-directional GaN-on-Silicon enhancement mode ...
|
Nan stok
|
|
8 Semèn | AKTIF (Dènye Mizajou: 2 jou de sa) | Konfòme RoHS | |||
|
||||||||||
INN040W080A | Innoscience |
Bi-directional GaN-on-Silicon enhancement mode ...
|
Nan stok
|
|
8 Semèn | AKTIF (Dènye Mizajou: 2 jou de sa) | Konfòme RoHS | |||
|
||||||||||
INN040W120A | Innoscience |
Bi-directional GaN-on-Silicon enhancement mode ...
|
Nan stok
|
|
8 Semèn | AKTIF (Dènye Mizajou: 2 jou de sa) | Konfòme RoHS | |||
|
||||||||||
INN040FQ012A | Innoscience |
Bi-directional GaN-on-Silicon enhancement mode ...
|
Nan stok
|
|
8 Semèn | AKTIF (Dènye Mizajou: 2 jou de sa) | Konfòme RoHS | |||
|
||||||||||
INN040FQ015A | Innoscience |
GaN-on-Silicon enhancement mode high-electron-m...
|
Nan stok
|
|
8 Semèn | AKTIF (Dènye Mizajou: 2 jou de sa) | Konfòme RoHS | |||
|
||||||||||
INN040FQ043A | Innoscience |
GaN-on-Silicon enhancement mode high-electron-m...
|
Nan stok
|
|
8 Semèn | AKTIF (Dènye Mizajou: 2 jou de sa) | Konfòme RoHS | |||
|
||||||||||
INN80LA01 | Innoscience |
GaN-on-Silicon enhancement mode high-electron-m...
|
Nan stok
|
|
8 Semèn | AKTIF (Dènye Mizajou: 2 jou de sa) | Konfòme RoHS | |||
|
||||||||||
INN100W032A | Innoscience |
GaN-on-Silicon enhancement mode high-electron-m...
|
Nan stok
|
|
8 Semèn | AKTIF (Dènye Mizajou: 2 jou de sa) | Konfòme RoHS | |||
|
||||||||||
INN100W027A | Innoscience |
GaN-on-Silicon enhancement mode high-electron-m...
|
Nan stok
|
|
8 Semèn | AKTIF (Dènye Mizajou: 2 jou de sa) | Konfòme RoHS | |||
|
||||||||||
INN100W070A | Innoscience |
GaN-on-Silicon enhancement mode high-electron-m...
|
Nan stok
|
|
8 Semèn | AKTIF (Dènye Mizajou: 2 jou de sa) | Konfòme RoHS | |||
|